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我們?yōu)槿蚋鱾€(gè)行業(yè)提供NXP（恩智浦） PSMN4R3-80ES,127及技術(shù)資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項(xiàng)工作并將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

NXP恩智浦完整型號(hào)：PSMN4R3-80ES,127

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：80V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：120A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：4.3 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：111nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：8161pF @ 40V

功率 - 最大值：306W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝：I2PAK

PSMN4R3-80ES,127，NXP（恩智浦）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：PSMN4R3-80ES,127

原始制造廠商：NXP（恩智浦）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管

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