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我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供NXP（恩智浦） PMXB350UPEZ及技術(shù)資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產(chǎn)品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

NXP恩智浦完整型號：PMXB350UPEZ

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：1.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：447 毫歐 @ 1.2A， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.3nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：116pF @ 10V

功率 - 最大值：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-XFDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：3-DFN （1.1x1）

PMXB350UPEZ，NXP（恩智浦）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：PMXB350UPEZ

原始制造廠商：NXP（恩智浦）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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