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我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供NXP（恩智浦） PMDXB600UNE及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產(chǎn)品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

NXP恩智浦完整型號：PMDXB600UNE

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：600mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：620 毫歐 @ 600mA， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：21.3pF @ 10V

功率 - 最大值：265mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-XFDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：6-DFN （1.1x1）

PMDXB600UNE，NXP（恩智浦）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：PMDXB600UNE

原始制造廠商：NXP（恩智浦）

技術標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

產(chǎn)品應用分類：場效應管陣列

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