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我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供NXP（恩智浦） PMDT290UNE,115及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

NXP恩智浦完整型號：PMDT290UNE,115

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：800mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 500mA，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.68nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：83pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商器件封裝：SOT-666

PMDT290UNE,115，NXP（恩智浦）產品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：PMDT290UNE,115

原始制造廠商：NXP（恩智浦）

技術標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

產品應用分類：場效應管陣列

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