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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

NXP恩智浦完整型號：PMDPB30XN,115

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：4A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 3A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：21.7nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：660pF @ 10V

功率 - 最大值：490mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：6-HUSON（2x2）

PMDPB30XN,115，NXP（恩智浦）產品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：PMDPB30XN,115

原始制造廠商：NXP（恩智浦）

技術標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

產品應用分類：場效應管陣列

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