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我們?yōu)槿蚋鱾€(gè)行業(yè)提供NXP（恩智浦） PHD21N06LT,118及技術(shù)資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項(xiàng)工作并將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號(hào)：PHD21N06LT,118

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：TrenchMOS?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：55V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：19A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 10A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.4nC @ 5V

Vgs（最大值）：±15V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：650pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：56W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：DPAK

PHD21N06LT,118，NXP（恩智浦）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：PHD21N06LT,118

原始制造廠商：NXP（恩智浦）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

點(diǎn)擊此處查詢PHD21N06LT,118的技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）

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