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我們?yōu)槿蚋鱾€(gè)行業(yè)提供NXP（恩智浦） BUK9E4R9-60E,127及技術(shù)資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項(xiàng)工作并將產(chǎn)品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：BUK9E4R9-60E,127

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：TrenchMOS?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：100A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.5 毫歐 @ 25A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：65nC @ 5V

Vgs（最大值）：±10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：9710pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：234W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：I2PAK

BUK9E4R9-60E,127，NXP（恩智浦）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：BUK9E4R9-60E,127

原始制造廠商：NXP（恩智浦）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

點(diǎn)擊此處查詢BUK9E4R9-60E,127的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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